
HVCMOS工藝是由傳統(tǒng)CMOS工藝演變而來的。傳統(tǒng)CMOS工藝無法承受高壓,因此晶圓廠開發(fā)高壓CMOS的工藝來滿足現(xiàn)有市場的需要。
HVCMOS的工藝在摻雜和擴(kuò)散都是對稱,不像BCD工藝不對稱。因此BCD的gate端無法像HVCMOS一樣所有端口可以承受高壓。因此HVCMOS工藝的性能會優(yōu)于BCD。

AFE表示模擬前端。因?yàn)樽匀唤缢械氖挛锒际悄M信號量,但我們處理的設(shè)備都是數(shù)字信號,也就是說需要有一個模擬轉(zhuǎn)成數(shù)字的器件,一般稱為ADC模數(shù)轉(zhuǎn)換;搭配ADC工作的PGA、參考電壓,參考電流,DAC等完成采集模擬信號鏈的信號且轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號的器件我們稱為AFE模擬前端。
所以針對不同應(yīng)用場景,每一個AFE的特性會有差異,如電池管理AFE、儀表放大AFE、模擬電視的AFE等,但都是一個目的:要將模擬信息轉(zhuǎn)換成數(shù)字。



